Datasheet IPD78CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 13 А, 100 В, PG-TO252-3 — Даташит

Infineon IPD78CN10N G

Наименование модели: IPD78CN10N G

Купить IPD78CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 236 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков OptiMOS?®2 Power-Transistor
AiPCBA Весь мир	IPD78CN10NG Infineon	16 ₽
ChipWorker Весь мир	IPD78CN10NG Infineon	16 ₽
Триема Россия	IPD78CN10NG Infineon	105 ₽
Элитан Россия	IPD78CN10NG Infineon	236 ₽

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 13 А, 100 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 59 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-252
Количество выводов: 3
Current Id Max: 13 А
Power Dissipation Pd: 31 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть