Datasheet IPI028N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 80 В, PG-TO262-3 — Даташит

Купить IPI028N08N3 G на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков OptiMOS?®3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
TradeElectronics Россия	IPI028N08N3G Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPI028N08N3G Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPI028N08N3G Infineon	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IPI028N08N3G Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 80 В, PG-TO262-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP028N08N3 G IPI028N08N3 G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max ID 80 2.8 100 previous engineering sample codes: IPP02CN08N V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPP028N08N3 G IPI028N08N3 G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 2.4 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 300 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть