Datasheet IPI12CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 67 А, 100 В, PG-TO262-3 — Даташит

Купить IPI12CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 7 предложений от 5 поставщиков OptiMOS?„?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS
Lixinc Electronics Весь мир	IPI12CN10NG Infineon	от 116 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPI12CN10NG Infineon	от 116 ₽	Купить
TradeElectronics Россия	IPI12CN10NG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPI12CN10NG	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 67 А, 100 В, PG-TO262-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$  "  " $  "  "
$  "  " $ $  "  "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 9.8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-262
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 67 А
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть