Datasheet IPI16CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 53 А, 100 В, PG-TO262-3 — Даташит

Infineon IPI16CN10N G

Наименование модели: IPI16CN10N G

Купить IPI16CN10N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.0162ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
МосЧип Россия	IPI16CN10NG Infineon	по запросу
Augswan Весь мир	IPI16CN10NG Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 53 А, 100 В, PG-TO262-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB16CN10N G IPI16CN10N G
IPD16CN10N G IPP16CN10N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO252) ID 100 16 53 V m A

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 12.4 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-262
Количество выводов: 3
Current Id Max: 53 А
Power Dissipation Pd: 100 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть