Datasheet IPI50CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO262-3 — Даташит

Infineon IPI50CN10N G

Наименование модели: IPI50CN10N G

Купить IPI50CN10N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, GREEN, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
T-electron Россия и страны СНГ	IPI50CN10NG Infineon	по запросу
МосЧип Россия	IPI50CN10NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPI50CN10NG	по запросу
Akcel Весь мир	IPI50CN10NG Infineon	по запросу

Какими будут станции зарядки электромобилей в 2030 году: лучшие решения и мировой опыт для отечественных разработок

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 А, 100 В, PG-TO262-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
$= ;0@/?& @9 9 -= D 7MI[YMZ ) 5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 38 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-262
Количество выводов: 3
Current Id Max: 20 А
Power Dissipation Pd: 44 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть