На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet IPI80CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 13 А, 100 В, PG-TO262-3 — Даташит

Infineon IPI80CN10N G

Наименование модели: IPI80CN10N G

7 предложений от 7 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 100V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-262
ЧипСити
Россия
IPI80CN10NG
Infineon
30 ₽
AiPCBA
Весь мир
IPI80CN10NG
Infineon
32 ₽
ChipWorker
Весь мир
IPI80CN10NG
Infineon
32 ₽
Acme Chip
Весь мир
IPI80CN10NG
Rochester Electronics
по запросу
Продукция HONGFA – надежность и качество для разных задач

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 13 А, 100 В, PG-TO262-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"# $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 61 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-262
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 13 А
  • Power Dissipation Pd: 31 Вт
  • Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IPI80CN10N G - Infineon MOSFET, N CH, 13 A, 100 V, PG-TO262-3

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России