Datasheet IPP06CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TO220-3 — Даташит

Купить IPP06CN10N G на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 200 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, OptiMOS㈢2 Power-Transistor
ЧипСити Россия	IPP06CN10NG Infineon	200 ₽	Купить
727GS Весь мир	IPP06CN10NG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPP06CN10NG	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPP06CN10NG	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 А, 100 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB06CN10N G
IPI06CN10N G IPP06CN10N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO263) ID 100 6.2 100 V m A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 100 А
• Power Dissipation Pd: 214 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть