Datasheet IPP08CN10L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 98 А, 100 В, PG-TO220-3 — Даташит

Купить IPP08CN10L G на РадиоЛоцман.Цены — от 142 до 527 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 98A I(D), 100V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Триема Россия	IPP08CN10LG-VB	142 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IPP08CN10LG Infineon	527 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPP08CN10LG	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPP08CN10LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 98 А, 100 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPP08CN10L G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max ID 100 8 98 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPP08CN10L G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 6.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 98 А
• Power Dissipation Pd: 167 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть