Datasheet IPP08CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 95 А, 100 В, PG-TO220-3 — Даташит

Infineon IPP08CN10N G

Наименование модели: IPP08CN10N G

Купить IPP08CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Триема Россия	IPP08CN10NG-VB	142 ₽
Lixinc Electronics Весь мир	IPP08CN10NG Infineon	по запросу
727GS Весь мир	IPP08CN10NG Infineon	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	IPP08CN10NG Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 95 А, 100 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO263) ID 100 8.2 95 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPB08CN10N G IPI08CN10N G IPP08CN10N G

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 6.4 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 95 А
Power Dissipation Pd: 167 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть