Datasheet IPP096N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 35 А, 30 В, PG-TO220-3 — Даташит

Купить IPP096N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 82 ₽ 11 предложений от 8 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
ChipWorker Весь мир	IPP096N03LG Infineon	16 ₽	Купить
Компонентс Ру Россия	IPP096N03LG Infineon	от 50 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	IPP096N03LG_10 Infineon	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	IPP096N03LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 35 А, 30 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPP096N03L G IPB096N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC1) for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPP096N03L G IPB096N03L G
Product Summary V DS R DS(on),max ID 30 9.6 35 V m A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 8 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 35 А
• Power Dissipation Pd: 42 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть