Datasheet IPP139N08N3 G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 45 А, 80 В, PG-TO220-3 — Даташит
Наименование модели: IPP139N08N3 G
![]() 11 предложений от 11 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 45A I(D), 80V, 0.0139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN | |||
IPP139N08N3G Rochester Electronics | 44 ₽ | ||
IPP139N08N3G Infineon | 126 ₽ | ||
IPP139N08N3G | по запросу | ||
IPP139N08N3G Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 45 А, 80 В, PG-TO220-3
Краткое содержание документа:
IPP139N08N3 G IPI139N08N3 G IPB136N08N3 G
"%&$!"# 3 Power-Transistor
Features Q #451<6 B 78 65AE5>3 I C D89 ? 89 B G9 >7 3 Q ( @D J54 D 8>? < 7I 6 B 3 ? >F D C 9 =9 53 ? ? 5B 5B Q H3 5<5>D 5 3 81B HR 9H"[Z# @B 4E3 D ( & < 71D 75 ? Q' 3 81>>5< >? B < 5< =1< 5F Q
1F 1>3 85 D D 1< 5C 54 Q) 2 655 @< 9 + ? " , 3 ? =@<1>D B 1D >7 9 Q* E1<654 13 3 ? B >7 D $ 9 9 49 ?
)#
TM
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 11.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 45 А
- Power Dissipation Pd: 79 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть