Datasheet IPP16CN10L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 54 А, 100 В, PG-TO220-3 — Даташит
Наименование модели: IPP16CN10L G
![]() 7 предложений от 7 поставщиков MOSFET N-CH 100V 54A TO220-3 | |||
IPP16CN10LG-VB | 142 ₽ | ||
IPP16CN10LG Infineon | по запросу | ||
IPP16CN10LG | по запросу | ||
IPP16CN10LG Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 54 А, 100 В, PG-TO220-3
Краткое содержание документа:
IPP16CN10L G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max ID 100 15.7 54 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPP16CN10L G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 12.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 54 А
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть