Datasheet IPP26CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 35 А, 100 В, PG-TO220-3 — Даташит

Infineon IPP26CN10N G

Наименование модели: IPP26CN10N G

Купить IPP26CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 5 предложений от 5 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
TradeElectronics Россия	IPP26CN10NG Infineon	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	IPP26CN10NG	по запросу
ЗУМ-СМД Россия	IPP26CN10NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPP26CN10NG	по запросу

Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 35 А, 100 В, PG-TO220-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
$ " " $ " "
$ " " $ $ " "
"%&$!"#a $ ;B 1 = -: >5 ;= '= >?
7MI[YMZ S )
5: 3 @@7> @A D >> 7> ?3 7H S! J57>7@F F 5: 3 D J' 93 7 97 A " S0 7D > I A @

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 20 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-220
Количество выводов: 3
Current Id Max: 35 А
Power Dissipation Pd: 71 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть