Datasheet IPS090N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит

Купить IPS090N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 14 до 19 580 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Труба MOS, OptiMOS3 Power-Transistor
727GS Весь мир	IPS090N03LG Infineon	14 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IPS090N03LG Infineon	19 580 ₽	Купить
ТаймЧипс Россия	IPS090N03LG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPS090N03LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD090N03L G IPS090N03L G
IPF090N03L G IPU090N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD090N03L G IPF090N03L G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-251
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 40 А
• Power Dissipation Pd: 42 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть