Datasheet IPS12CN10L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 69 А, 100 В, PG-TO251-3 — Даташит

Купить IPS12CN10L G на РадиоЛоцман.Цены — от 23 до 66 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 69A I(D), 100V, 0.0118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, GREEN, PLASTIC, TO-251, 3 PIN
AiPCBA Весь мир	IPS12CN10LG Infineon	57 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPS12CN10LG Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPS12CN10LG Infineon	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IPS12CN10LG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 69 А, 100 В, PG-TO251-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPS12CN10L G IPP12CN10L G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max ID 100 12 69 V m A
· Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification Type IPP12CN10L G IPS12CN10L G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 9.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-251
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 69 А
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть