Datasheet IPS135N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит

Купить IPS135N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 4.00 до 636 ₽ 11 предложений от 10 поставщиков OptiMOS 3 Power-Transistor Features Optimized technology for DC/DC converters
AllElco Electronics Весь мир	IPS135N03LG Infineon	4.00 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IPS135N03LG Infineon	11 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPS135N03LG Infineon	13 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	IPS135N03LG	35 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 А, 30 В, PG-TO251-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD135N03L G IPS135N03L G
IPF135N03L G IPU135N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD135N03L G IPF135N03L G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 11.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-251
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 30 А
• Power Dissipation Pd: 31 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть