Datasheet IPU039N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит

Infineon IPU039N03L G

Наименование модели: IPU039N03L G

Купить IPU039N03L G на РадиоЛоцман.Цены — от 79 до 93 ₽ 6 предложений от 6 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, GREEN, PLASTIC, TO-251, 3 PIN
ЧипСити Россия	IPU039N03LG Infineon	88 ₽
AiPCBA Весь мир	IPU039N03LG Infineon	93 ₽
AllElco Electronics Весь мир	IPU039N03LG Infineon	по запросу
Augswan Весь мир	IPU039N03LG Infineon	по запросу

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO251-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Jf^S
% # ! % ) # !
"%&$!"# % .;?6 <> (> ?@
7NJ]ZN[ R 3 D D E ; ' ) - .

8 -' *E H;5: @9 AC R ) BE ; 76 E @A> 8 5A@G E D ; K 75: ? A9J AC 7C 7C R + F3 >; 3 55AC @9 E $ ; 76 8 6; A R( 5: 3 @@7> > 5 > 7> A9; 7G R I57> 93 E 5: 3 C I' 9I"]# BC > 7@E 7 97 A6F5E ) ' R0 7C > A@C ; E @57 ' 9I"]# J AH 7DD 3 R G > @5: 7 C E 3 3 3 76 R * 4877 B> E , A" - 5A? B> @E C 3 ; @9 ; 3 DaYN #* ( & ! #* / ( & !
)#

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 3.3 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
Корпус транзистора: TO-251
Количество выводов: 3
Current Id Max: 50 А
Power Dissipation Pd: 94 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть