Datasheet IPU050N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит

Infineon IPU050N03L G

Наименование модели: IPU050N03L G

Купить IPU050N03L G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, GREEN, PLASTIC, TO-251, 3 PIN
Триема Россия	IPU050N03LG-VB	142 ₽
ТаймЧипс Россия	IPU050N03LG Infineon	по запросу
Augswan Весь мир	IPU050N03LG Infineon	по запросу
AllElco Electronics Весь мир	IPU050N03LG	по запросу

Новое семейство LED-драйверов XLC компании MEAN WELL с дополнительными возможностями диммирования

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 50 А, 30 В, PG-TO251-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Type
IPD050N03L G IPS050N03L G
IPF050N03L G IPU050N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD050N03L G IPF050N03L G

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 30 В
On Resistance Rds(on): 4.2 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-251
Количество выводов: 3
Current Id Max: 50 А
Power Dissipation Pd: 68 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть