Datasheet IPU090N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит
Наименование модели: IPU090N03L G
5 предложений от 5 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 | |||
| IPU090N03LG Infineon | по запросу | ||
| IPU090N03LG Infineon | по запросу | ||
| IPU090N03LG Infineon | по запросу | ||
| IPU090N03LG Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 А, 30 В, PG-TO251-3
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Type
IPD090N03L G IPS090N03L G
IPF090N03L G IPU090N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD090N03L G IPF090N03L G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 7.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 40 А
- Power Dissipation Pd: 42 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
