Datasheet IPU105N03L G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 35 А, 30 В, PG-TO251-3 — Даташит
Наименование модели: IPU105N03L G
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.0105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, GREEN, PLASTIC, TO-251, 3 PIN | |||
| IPU105N03LG Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N CH, 35 А, 30 В, PG-TO251-3
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
Type
IPD105N03L G IPS105N03L G
IPF105N03L G IPU105N03L G
OptiMOS®3 Power-Transistor
Features · Fast switching MOSFET for SMPS · Optimized technology for DC/DC converters · Qualified according to JEDEC for target applications · N-channel, logic level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · Avalanche rated · Pb-free plating; RoHS compliant Type IPD105N03L G IPF105N03L G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 8.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 35 А
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Тип транзистора: Power MOSFET
RoHS: есть
