Datasheet IPW60R099CP - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-247 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPW60R099CP
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Lowest figure-of-merit R ON x Qg · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Ultra low gate charge CoolMOS CP is specially designed for: · Hard switching SMPS topologies for Server and Telecom
Product Summary V DS @ Tj,max R DS(on),max Q g,typ 650 0.099 60 V nC
PG-TO247-3-1

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 31 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On Resistance Rds(on): 99 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 800mJ
• Capacitance Ciss Typ: 2800 пФ
• Current Id Max: 31 А
• Current Temperature: 25°C
• Fall Time tf: 5 нс
• N-channel Gate Charge: 60nC
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 255 Вт
• Pulse Current Idm: 93 А
• Repetitive Avalanche Energy Max: 1.2mJ
• Rise Time: 5 нс
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - WLK 5