Datasheet SPD06N80C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-252 — Даташит

Купить SPD06N80C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 0.79 до 428 ₽ 60 предложений от 27 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Компонентс Ру Россия	SPD06N80C3BTMA1 Infineon	от 132 ₽	Купить
Элитан Россия	SPD06N80C3ATMA1 Infineon	144 ₽	Купить
Триема Россия	SPD06N80C3 DPAK TO252 Infineon	200 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SPD06N80C3 Microchip	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-252

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD06N80C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO252 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated VDS RDS(on) ID 800 0.9 6
PG-TO252
V A
Type SPD06N80C3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 800 В
• On Resistance Rds(on): 900 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 83 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 6 А
• Тип корпуса: TO-252
• Pulse Current Idm: 18 А
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 800 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть