Datasheet SPP11N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-220 — Даташит
Наименование модели: SPP11N60C3
![]() 63 предложений от 29 поставщиков MOSFET, N, COOLMOS, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:11A; Resistance, Rds On:0.38ohm; Voltage, Vgs Rds on... | |||
SPP11N60C3XKSA1 Infineon | от 4.33 ₽ | ||
SPP11N60C3XKSA1 Infineon | 602 ₽ | ||
SPP11N60C3 | 662 ₽ | ||
SPP11N60C3PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, COOLMOS, TO-220
Краткое содержание документа:
SPP11N60C3 SPI11N60C3, SPA11N60C3 Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Improved transconductance
P-TO220-3-31
1 2 3
VDS @ Tjmax RDS(on) ID
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 380 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 11 А
- Current Temperature: 25°C
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 125 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 125 Вт
- Pulse Current Idm: 33 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 3.9 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5