Datasheet SPP20N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: SPP20N60CFD
![]() 20 предложений от 15 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
SPP20N60CFD Infineon | 253 ₽ | ||
SPP20N60CFD_05 Infineon | по запросу | ||
SPP20N60CFD Infineon | по запросу | ||
SPP20N60CFD Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Краткое содержание документа:
SPP20N60CFD Cool MOSTM Power Transistor
Feature · New revolutionary high voltage technology · Worldwide best RDS(on) in TO 220 · Ultra low gate charge · Periodic avalanche rated · Extreme dv/dt rated · High peak current capability · Intrinsic fast-recovery body diode · Extreme low reverse recovery charge VDS @ Tjmax RDS(on) ID 650 0.22 20.7
PG-TO220
V A
Type SPP20N60CFD Maximum Ratings Parameter
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20.7 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 220 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 20.7 А
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 208 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A