Datasheet SPP24N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 21.7 А, TO-220 — Даташит

Купить SPP24N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 41 до 463 ₽ 15 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 21.7A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
Компонентс Ру Россия	SPP24N60CFD Infineon	435 ₽	Купить
ЭИК Россия	SPP24N60CFD Infineon	450 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SPP24N60CFD	по запросу	Купить
МосЧип Россия	SPP24N60CFD_09 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 650 В, 21.7 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPP24N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @ Tjmax R DS(on),max ID 650 V
0.185 21.7 PG-TO220 A

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 21.7 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 0.15 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Количество выводов: 3
• Корпус транзистора: TO-220
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Рассеиваемая мощность: 240 Вт
• RoHS: да
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)