Datasheet SPS02N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит
Наименование модели: SPS02N60C3
![]() 17 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 650 В, 1.8 А, 2.7 Ом, TO-251, Through Hole | |||
SPS02N60C3 Rochester Electronics | от 5.42 ₽ | ||
SPS02N60C3BKMA1 Infineon | 33 ₽ | ||
SPS02N60C3BKMA1 Infineon | по запросу | ||
SPS02N60C3 - Infineon Technologies Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-251
Краткое содержание документа:
S
VDS
· · · · ·
Tjmax
G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 1.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 3 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 1.8 А
- Тип корпуса: TO-251
- Power Dissipation Pd: 25 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A