Datasheet SPS04N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит
Наименование модели: SPS04N60C3
![]() 16 предложений от 15 поставщиков Trans MOSFET N-CH 650V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 | |||
SPS04N60C3 Infineon | 31 ₽ | ||
SPS04N60C3 Infineon | 37 ₽ | ||
SPS04N60C3AKMA1 Infineon | 105 ₽ | ||
SPS04N60C3AKMA1 Infineon | 108 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-251
Краткое содержание документа:
S
VDS · · · · · ·
G -3-11
Tjmax
Marking S G 1-3-11
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 950 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 4.5 А
- Тип корпуса: TO-251
- Power Dissipation Pd: 50 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A