Datasheet SPU02N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит

Купить SPU02N60C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.10 до 260 ₽ 29 предложений от 15 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, TO-251, IPAK-3
AllElco Electronics Весь мир	SPU02N60C3BKMA1 Infineon	от 47 ₽	Купить
Триема Россия	SPU02N60C3-VB	142 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SPU02N60C3 - Infineon Technologies Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SPU02N60C3 Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-251

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS
· · · · ·
G
Tjmax
G

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 1.8 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On Resistance Rds(on): 3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-251
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 1.8 А
• Тип корпуса: TO-251
• Power Dissipation Pd: 25 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A