Datasheet SPU03N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит
Наименование модели: SPU03N60C3
![]() 26 предложений от 15 поставщиков Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 2А, Idm: 9,6А, 38Вт, TO251 | |||
SPU03N60C3BKMA1 Infineon | 53 ₽ | ||
SPU03N60C3BKMA1 Infineon | 157 ₽ | ||
SPU03N60C3 Infineon | по запросу | ||
SPU03N60C3BKMA1 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-251
Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.2 А
- Тип корпуса: TO-251
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A