Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SPU03N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит

Infineon SPU03N60C3

Наименование модели: SPU03N60C3

37 предложений от 14 поставщиков
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, GREEN, PLASTIC, TO-251, IPAK-3
SPU03N60C3 (ST-STU6N62K3)
STMicroelectronics
19 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SPU03N60C3
Infineon
47 ₽
ChipWorker
Весь мир
SPU03N60C3BKMA1
Infineon
67 ₽
DIP8.RU
Россия и страны ТС
SPU03N60C3BKMA1
Infineon
от 104 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-251

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 650 В
  • On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-251
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 3.2 А
  • Тип корпуса: TO-251
  • Power Dissipation Pd: 38 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 650 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

На английском языке: Datasheet SPU03N60C3 - Infineon MOSFET, N, TO-251

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России