Datasheet SPU03N60C3 - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-251 — Даташит
Наименование модели: SPU03N60C3
Купить SPU03N60C3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 287 ₽ 37 предложений от 14 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 600V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, GREEN, PLASTIC, TO-251, IPAK-3 | |||
SPU03N60C3 (ST-STU6N62K3) STMicroelectronics | 19 ₽ | ||
SPU03N60C3 Infineon | 47 ₽ | ||
SPU03N60C3BKMA1 Infineon | 67 ₽ | ||
SPU03N60C3BKMA1 Infineon | от 104 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-251
Краткое содержание документа:
VDS · · · · · ·
G
Tjmax
G
G G
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 1.4 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-251
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 3.2 А
- Тип корпуса: TO-251
- Power Dissipation Pd: 38 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A