Datasheet SPW07N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: SPW07N60CFD
Купить SPW07N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 69 до 119 ₽ 10 предложений от 7 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 600V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3 | |||
| SPW07N60CFD Infineon | от 69 ₽ | ||
| SPW07N60CFD Infineon | 94 ₽ | ||
| SPW07N60CFD Infineon | 100 ₽ | ||
| SPW07N60CFD Infineon | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
SPW07N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @Tjmax R DS(on),max ID 650 0.7 6.6 V A
PG-TO247
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 650 В
- On Resistance Rds(on): 700 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 6.6 А
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 83 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 650 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Panasonic - EYGA091203SM
- Panasonic - EYGA121807A
