Datasheet SPW24N60CFD - Infineon Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Infineon SPW24N60CFD

Наименование модели: SPW24N60CFD

Купить SPW24N60CFD на РадиоЛоцман.Цены — от 292 до 980 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 21.7A I(D), 600V, 0.185ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3
T-electron Россия и страны СНГ	SPW24N60CFD Infineon	292 ₽
Триема Россия	SPW24N60CFDFKSA1 MOSFET транзистор SPW24N60CFD SP000264428 INF Infineon	450 ₽
ChipWorker Весь мир	SPW24N60CFD Infineon	698 ₽
Acme Chip Весь мир	SPW24N60CFD Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPW24N60CFD
CoolMOSTM Power Transistor
Features · Intrinsic fast-recovery body diode · Extremely low reverse recovery charge · Ultra low gate charge · Extreme dv /dt rated · High peak current capability · Qualified according to JEDEC1) for target applications
Product Summary V DS @ Tjmax R DS(on),max ID 650 V
0.185 21.7 PG-TO247 A

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 21.7 А
Drain Source Voltage Vds: 650 В
On Resistance Rds(on): 185 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
Корпус транзистора: TO-247
Количество выводов: 3
Current Id Max: 21.7 А
Тип корпуса: TO-247
Power Dissipation Pd: 240 Вт
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
Тип транзистора: Power MOSFET
Voltage Vds Typ: 650 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Panasonic - EYGA091203SM
Panasonic - EYGA121807A