Datasheet IPD16CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 53 А, 100 В, PG-TO252-3 — Даташит

Купить IPD16CN10N G на РадиоЛоцман.Цены 6 предложений от 6 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 53A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
Кремний Россия и страны СНГ	IPD16CN10NG	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IPD16CN10NG Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IPD16CN10NG MOS Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IPD16CN10NG Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 53 А, 100 В, PG-TO252-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB16CN10N G IPI16CN10N G
IPD16CN10N G IPP16CN10N G
OptiMOS®2 Power-Transistor
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application
Product Summary V DS R DS(on),max (TO252) ID 100 16 53 V m A

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 12.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: TO-252
• Количество выводов: 3
• Current Id Max: 53 А
• Power Dissipation Pd: 100 Вт
• Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть