Datasheet IPB12CN10N G - Infineon Даташит Полевой транзистор, N CH, 67 А, 100 В, PG-TO263-3 — Даташит

Infineon IPB12CN10N G

Наименование модели: IPB12CN10N G

Купить IPB12CN10N G на РадиоЛоцман.Цены Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 100V, 0.0126ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, D2PAK-3
МосЧип Россия	IPB12CN10NG_10 Infineon	по запросу
TradeElectronics Россия	IPB12CN10NG Infineon	по запросу
Acme Chip Весь мир	IPB12CN10NG Infineon	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, N CH, 67 А, 100 В, PG-TO263-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IPB12CN10N G IPI12CN10N G
IPD12CN10N G IPP12CN10N G
OptiMOS 2 Power-Transistor
TM
Features · N-channel, normal level · Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) · Very low on-resistance R DS(on) · 175 °C operating temperature · Pb-free lead plating; RoHS compliant · Qualified according to JEDEC1) for target application

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On Resistance Rds(on): 9.5 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3
Current Id Max: 67 А
Power Dissipation Pd: 125 Вт
Тип транзистора: Power MOSFET

RoHS: есть