Datasheet IRF430 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, TO-3 — Даташит

Купить IRF430 на РадиоЛоцман.Цены — от 37 до 1 212 ₽ 18 предложений от 17 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 500V 4.5A 3Pin(2+Tab) TO-3
ЭИК Россия	IRF430 International Rectifier	279 ₽	Купить
МосЧип Россия	IRF430(TO3) Samsung	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF430 International Rectifier	по запросу	Купить
ЭлектроПласт- Екатеринбург Россия	IRF430-433 Fairchild	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, TO-3

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 90336F
IRF430 REPETITIVE A ALANCHE AND dv/dt RATED V JANTX2N6762 HEXFET TRANSISTORS JANTXV2N6762 THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542] 500V, N-CHANNEL
Product Summary
Part Number IRF430 BVDSS 500V RDS(on) 1.5 ID 4.5A
The HEXFETtechnology is the key to International Rectifier's advanced line of power MOSFET transistors.

The efficient geometry and unique processing of this latest "State of the Art" design achieves: very low on-state resistance combined with high transconductance; superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. The HEXFET transistors also feature all of the well established advantages of MOSFETs such as voltage control, very fast switching, ease of paralleling and temperature stability of the electrical parameters. They are well suited for applications such as switching power supplies, motor controls, inverters, choppers, audio amplifiers and high energy pulse circuits.

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 500 В
• On Resistance Rds(on): 1.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-3
• Количество выводов: 2
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 1.1mJ
• Current Iar: 4.5 А
• Current Id Max: 4.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 30 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Расстояние между выводами: 11 мм
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-3
• Power Dissipation Pd: 75 Вт
• Pulse Current Idm: 18 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Вес: 0.012kg

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Multicomp - MK3301/S
• Multicomp - MK3304