Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF520NPBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

International Rectifier IRF520NPBF

Наименование модели: IRF520NPBF

68 предложений от 28 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 9.7 А, 0.2 Ом, TO-220AB, Through Hole
ЗУМ-СМД
Россия
IRF520NPBF
International Rectifier
14 ₽
Элрус
Россия
IRF520NPBF
Infineon
от 37 ₽
ICdarom.ru
Россия
IRF520NPBF
Infineon
от 39 ₽
727GS
Весь мир
IRF520NPBF
Infineon
от 335 ₽

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94818
IRF520NPbF
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Lead-Free Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 200 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 9.7 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Маркировка: IRF520N
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Расстояние между выводами: 2.54 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Pin Configuration: А
  • Pin Format: 1 г
  • Power Dissipation Pd: 47 Вт
  • Pulse Current Idm: 38 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRF520NPBF - International Rectifier MOSFET, N, TO-220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка