Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet IRF6215PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, P, TO-220 — Даташит

International Rectifier IRF6215PBF

Наименование модели: IRF6215PBF

19 предложений от 15 поставщиков
MOSFET, Power; P-Ch; VDSS -150V; RDS(ON) 0.29Ω; ID -13A; TO-220AB; PD 110W; VGS +/-20
Триема
Россия
MOSFET транзистор IRF6215PBF SP001559672 IRF
Infineon
56 ₽
Maybo
Весь мир
IRF6215PBF
Infineon
87 ₽
Контест
Россия
IRF6215PBF
Infineon
460 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
IRF6215PBF
Infineon
по запросу

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, P, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 94817
IRF6215PbF
Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching P-Channel Fully Avalanche Rated Lead-Free Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.

This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Continuous Drain Current Id: 13 А
  • Drain Source Voltage Vds: 150 В
  • On Resistance Rds(on): 290 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: -4 В
  • Корпус транзистора: TO-220AB
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 310mJ
  • Current Id Max: -13 А
  • Current Temperature: 25°C
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Расстояние между выводами: 2.54 мм
  • Количество транзисторов: 1
  • Тип корпуса: TO-220AB
  • Power Dissipation Pd: 110 Вт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 110 Вт
  • Pulse Current Idm: 44 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -4 В
  • Voltage Vds: 150 В
  • Voltage Vds Typ: -150 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: -10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet IRF6215PBF - International Rectifier MOSFET, P, TO-220

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка