Datasheet IRF6613TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, MT — Даташит
Наименование модели: IRF6613TR1PBF
![]() 18 предложений от 15 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7Pin Direct-FET MT T/R | |||
IRF6613TR1PBF MOSFET N-CH 40V 23A | 140 ₽ | ||
IRF6613TR1PBF International Rectifier | 188 ₽ | ||
IRF6613TR1PBF International Rectifier | 213 ₽ | ||
IRF6613TR1PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, MT
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 23 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 3.4 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: DirectFET
- Количество выводов: 5
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Семейство: 6613
- Current Id Max: 18 А
- Тип корпуса: MT
- Pulse Current Idm: 180 А
- SMD Marking: 2.8
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 40 В
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Max: 2.25 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.25 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть