Datasheet IRF6616TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, MX — Даташит
Наименование модели: IRF6616TR1PBF
![]() 22 предложений от 11 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 19А; 89Вт; DirectFET | |||
IRF6616TR1PBF Infineon | 108 ₽ | ||
IRF6616TR1PBF Infineon | 114 ₽ | ||
IRF6616TR1PBF | от 938 ₽ | ||
IRF6616TR1PBF International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 40 В, MX
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 19 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 3.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: MX
- Количество выводов: 5
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Семейство: 6616
- Current Id Max: 15 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 150 А
- SMD Marking: 2.8
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 40 В
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.25 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть