Datasheet IRF6619TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MX — Даташит
Наименование модели: IRF6619TR1PBF
![]() 23 предложений от 13 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 30А; 89Вт; DirectFET | |||
IRF6619TR1PBF Infineon | от 43 ₽ | ||
IRF6619TR1PBF International Rectifier | 159 ₽ | ||
IRF6619TR1PBF Infineon | 166 ₽ | ||
IRF6619TR1PBF Infineon | 176 ₽ |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MX
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 1.65 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.55 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: MX
- Количество выводов: 5
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Семейство: 6619
- Current Id Max: 24 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 240 А
- SMD Marking: 2.8
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 2.45 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.45 В
- Voltage Vgs th Min: 1.55 В
RoHS: есть