Datasheet IRF6635TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX — Даташит

Купить IRF6635TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 69 до 614 ₽ 20 предложений от 13 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные
Компонентс Ру Россия	IRF6635TR1PBF International Rectifier	от 614 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6635TR1PBF	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6635TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6635TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97086
IRF6635PbF IRF6635TRPbF
l l l l l l l l l
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 1.8 В
• Корпус транзистора: MX
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Семейство: 6635
• Current Id Max: 25 А
• Тип корпуса: MX
• Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
• Pulse Current Idm: 250 А
• SMD Marking: 2.8
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
• Voltage Vds: 30 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.35 В
• Voltage Vgs th Min: 1.35 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A