Datasheet IRF6638TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N — Даташит
Наименование модели: IRF6638TR1PBF
![]() 13 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 30V 25A | |||
IRF6638TR1PBF Infineon | 117 ₽ | ||
IRF6638TR1PBF Infineon | от 172 ₽ | ||
IRF6638TR1PBF | по запросу | ||
IRF6638TR1PBF Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N
Краткое содержание документа:
PD - 97239
IRF6638PbF IRF6638TRPbF
DirectFET Power MOSFET RoHs Compliant Typical values (unless otherwise specified) l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Application Specific MOSFETs l Ideal for CPU Core DC-DC Converters 30V max ±20V max 2.2m@ 10V 3.0m@ 4.5V l Low Conduction Losses Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) l High Cdv/dt Immunity 30nC 11nC 3.2nC 27nC 18.4nC 1.8V l Low Profile (<0.7mm) l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques
l
MX
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 2.2 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 1.8 В
- Корпус транзистора: MX
- Количество выводов: 5
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 20 А
- Тип корпуса: MX
- Power Dissipation Pd: 89 Вт
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.8 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть