Datasheet IRF6641TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит

Купить IRF6641TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 30 до 13 892 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
Maybo Весь мир	IRF6641TR1PBF Infineon	30 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRF6641TR1PBF Infineon	68 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	IRF6641TR1PBF, Nкан 200В 26А DirectFET MZ	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6641TR1PBF International Rectifier	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 59.9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
• Корпус транзистора: DirectFET
• Количество выводов: 5
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 46mJ
• Семейство: 6641
• Cont Current Id @ 70В°C: 3.7 А
• Current Id Max: 3.7 А
• Fall Time tf: 65 нс
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MZ
• Pulse Current Idm: 37 А
• Rise Time: 11 нс
• Storage Temperature Max: 150°C
• Storage Temperature Min: -40°C
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 200 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть