Datasheet IRF6644TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 100 В, MN — Даташит
Наименование модели: IRF6644TR1PBF
![]() 24 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
IRF6644TR1PBF Infineon | 141 ₽ | ||
IRF6644TR1PBF International Rectifier | от 1 165 ₽ | ||
IRF6644TR1PBF | по запросу | ||
IRF6644TR1PBF MOS() International Rectifier | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 100 В, MN
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 10.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: DirectFET
- Количество выводов: 5
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Семейство: 6644
- Current Id Max: 8.3 А
- Тип корпуса: MN
- Pulse Current Idm: 82 А
- SMD Marking: 2.8
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 100 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 4.8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4.8 В
- Voltage Vgs th Min: 2.8 В
RoHS: есть