Datasheet IRF6646TR1 - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN — Даташит

Купить IRF6646TR1 на РадиоЛоцман.Цены — от 122 до 453 ₽ 21 предложений от 15 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	IRF6646TR1PBF Infineon	122 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6646TR1PBF Infineon	143 ₽	Купить
Элитан Россия	IRF6646TR1PBF Infineon	453 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6646TR1PBF	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MN

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 96995E
IRF6646
DirectFET Power MOSFET
l l l l l l l l l
RoHS compliant containing no lead or bromide Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 7.6 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: DirectFET MN
• Количество выводов: 7
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Capacitance Ciss Typ: 2060 пФ
• Current Id Max: 12 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MN
• Power Dissipation Pd: 2.8 Вт
• Pulse Current Idm: 96 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 36 нс
• SMD Marking: 6646
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.9 В
• Voltage Vds: 80 В
• Voltage Vds Typ: 80 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть