Datasheet IRF6662TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит

Купить IRF6662TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 162 до 204 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 7Pin Direct-FET MZ T/R
ЧипСити Россия	IRF6662TR1PBF International Rectifier	191 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6662TR1PBF International Rectifier	204 ₽	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6662TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6662TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97039A
IRF6662
DirectFETTM Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
Lead and Bromide Free Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 8.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 2.1 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.9 В
• Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
• Корпус транзистора: DirectFET
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 39mJ
• Семейство: 6662
• Cont Current Id @ 70В°C: 6.6 А
• Current Id Max: 6.6 А
• Fall Time tf: 5.9 нс
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MZ
• Pulse Current Idm: 66 А
• Rise Time: 7.5 нс
• Storage Temperature Max: 150°C
• Storage Temperature Min: -40°C
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 25 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 3.9 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть