Datasheet IRF6662TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит
Наименование модели: IRF6662TR1PBF
Купить IRF6662TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 222 до 4 310 ₽ 7 предложений от 7 поставщиков Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 7Pin Direct-FET MZ T/R | |||
| IRF6662TR1PBF International Rectifier | 222 ₽ | ||
| IRF6662TR1PBF International Rectifier | 237 ₽ | ||
| IRF6662TR1PBF,Nкан 100В 8.3А/47А DirectFET MZ International Rectifier | 4 310 ₽ | ||
| IRF6662TR1PBF | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PD - 97039A
IRF6662
DirectFETTM Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
Lead and Bromide Free Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Ultra Low Package Inductance Optimized for High Frequency Switching Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses Compatible with existing Surface Mount Techniques
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 8.3 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 2.1 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.9 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: DirectFET
- Количество выводов: 5
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 39mJ
- Семейство: 6662
- Cont Current Id @ 70В°C: 6.6 А
- Current Id Max: 6.6 А
- Fall Time tf: 5.9 нс
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -40°C
- Тип корпуса: MZ
- Pulse Current Idm: 66 А
- Rise Time: 7.5 нс
- Storage Temperature Max: 150°C
- Storage Temperature Min: -40°C
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 25 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Max: 3.9 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
