Datasheet IRF6668TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ — Даташит

Купить IRF6668TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 77 до 3 477 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH Si 80V 55A 7Pin Direct-FET MZ T/R
ЧипСити Россия	IRF6668TR1PBF International Rectifier	201 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	IRF6668TR1PBF,Nкан 80В 55А DirectFET MZ International Rectifier	3 477 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	IRF6668TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6668TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, MZ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97232A
IRF6668PbF IRF6668TRPbF
l l l l l l l l l l
RoHs Compliant Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) Application Specific MOSFETs Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket Optimized for Synchronous Rectification Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
DirectFET Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 55 А
• Drain Source Voltage Vds: 80 В
• On Resistance Rds(on): 15 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Количество выводов: 5
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 24mJ
• Семейство: 6668
• Cont Current Id @ 70В°C: 44 А
• Current Id Max: 44 А
• Fall Time tf: 23 нс
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -40°C
• Тип корпуса: MZ
• Power Dissipation Pd: 2.8 мВт
• Pulse Current Idm: 170 А
• Rise Time: 13 нс
• Storage Temperature Max: 150°C
• Storage Temperature Min: -40°C
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 80 В
• Voltage Vds Typ: 80 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть