Datasheet IRF6674TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 13.4 А, DFET MZ — Даташит

Купить IRF6674TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 17 до 440 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, Direct-FET N-CH 60V 13.4A
ЧипСити Россия	IRF6674TR1PBF International Rectifier	440 ₽	Купить
Maybo Весь мир	IRF6674TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
AllElco Electronics Весь мир	IRF6674TR1PBF Infineon	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	IRF6674TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 13.4 А, DFET MZ

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 97133
IRF6674TRPbF
DirectFET Power MOSFET
Typical values (unless otherwise specified)
RoHS Compliant l Lead-Free (Qualified up to 260°C Reflow) l Application Specific MOSFETs l Ideal for High Performance Isolated Converter Primary Switch Socket l Optimized for Synchronous Rectification l Low Conduction Losses l High Cdv/dt Immunity l Dual Sided Cooling Compatible l Compatible with existing Surface Mount Techniques

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 13.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On Resistance Rds(on): 9 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Рассеиваемая мощность: 3.6 Вт
• Корпус транзистора: DirectFET
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Альтернативный тип корпуса: DirectFET
• Current Id Max: 13.4 А
• Тип корпуса: MZ
• Pulse Current Idm: 134 А
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 60 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4.9 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: есть