Datasheet IRF6678TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX — Даташит
Наименование модели: IRF6678TR1PBF
![]() 12 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Single N-Channel 30V 2.8W 43NC SMT Power Mosfet - DirectFETIsometric MX | |||
IRF6678TR1PBF Infineon | от 832 ₽ | ||
IRF6678TR1PBF Infineon | по запросу | ||
IRF6678TR1PBF Infineon | по запросу | ||
IRF6678TR1PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 30 В, MX
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 30 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 1.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.35 В
- Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
- Корпус транзистора: MX
- Количество выводов: 5
- Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Семейство: 6678
- Current Id Max: 24 А
- Тип корпуса: MX
- Pulse Current Idm: 240 А
- SMD Marking: 2.8
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 30 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 2.25 В
- Voltage Vgs th Min: 1.35 В
RoHS: есть