Datasheet IRF6691TR1PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MT — Даташит

Купить IRF6691TR1PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 67 до 290 ₽ 11 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, A 20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET with Schottky diode with 20V gate in a DirectFET MT package rated...
ChipWorker Весь мир	IRF6691TR1PBF International Rectifier	226 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	IRF6691TR1PBF International Rectifier	290 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	IRF6691TR1PBF	по запросу	Купить
727GS Весь мир	IRF6691TR1PBF Infineon	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N, DIRECTFET, 20 В, MT

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 32 А
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 1.2 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
• Рассеиваемая мощность: 2.8 мВт
• Корпус транзистора: DirectFET
• Количество выводов: 5
• Влагостойкость: MSL 3 - 168 hours
• SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
• Семейство: 6691
• Current Id Max: 26 А
• Тип корпуса: MT
• Pulse Current Idm: 260 А
• SMD Marking: 2.8
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds: 20 В
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 2.5 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 2.5 В
• Voltage Vgs th Min: 1.6 В

RoHS: есть